ハイブリッドボンディング
二枚のシリコンの表面を押し付け、はんだ玉を介さずに銅の接点を直接融合させる接合技術。
従来の積層ははんだのマイクロバンプを使うため、接点の間隔には約40マイクロメートルという下限がある。ハイブリッドボンディングでは、両方の表面を原子レベルの平坦さに研磨し、誘電体同士を直接接合したうえで、アニールによって埋め込まれた銅を拡散させる。ピッチは10マイクロメートル未満にでき、単位面積あたりの接続数が一桁増え、抵抗は下がり、経路は短くなる。はんだがなくなる点も重要だ。はんだは熱を通しにくく、AMDの3D V-Cacheのようにキャッシュをプロセッサコアの真上に積むには、この技術が前提になる。