High-NA EUV
Nästa generation EUV-litografi med högre numerisk apertur (NA 0,55 mot dagens 0,33), vilket ritar ännu finare mönster. Avgörande för noder bortom ~2 nm. Maskinerna kostar runt 350+ miljoner dollar styck och är ASML:s mest avancerade.
Idé: högre NA = optiken fångar ljus i bredare vinkel → bättre upplösning, finare features utan multi-patterning. Det möjliggör fortsatt skalning där vanlig EUV börjar ta slut. Avvägning: mindre exponeringsfält (kräver "stitching" av mönster), enorm kostnad och komplexitet. Intel var först att ta in High-NA-verktyg (för 18A/14A-noderna) som ett led i sin comeback-strategi; TSMC och Samsung följer mer försiktigt pga kostnaden. En av de dyraste och mest strategiska investeringarna i halvledarindustrin. Hör ihop med EUV-litografi och gate-all-around.