Gate-all-around (GAA)
En ny transistorstruktur som efterträder FinFET, där grinden omsluter kanalen på alla fyra sidor i stället för tre. Det ger bättre kontroll över strömmen och mindre läckage, nödvändigt för noder vid 2 nm och under. Intel kallar sin variant RibbonFET.
Varför: ju mindre transistorer, desto svårare att helt stänga av dem → läckström och energispill. FinFET (tre sidor) räckte ned till ~3 nm; GAA lindar grinden helt runt staplade "nanosheets" → maximal elektrostatisk kontroll, lägre läckage, högre prestanda per watt. Samsung var först i produktion (3 nm GAA), TSMC inför det vid N2, Intel med RibbonFET vid 20A/18A. Ofta paras GAA med backside power delivery för ytterligare vinst. Det stora transistorsteget för 2 nm-eran. Hör ihop med FinFET och backside power.