FinFET
Transistortypen som dominerat chiptillverkning sedan ~2011, där kanalen står upp som en "fena" (fin) och grinden omsluter den på tre sidor. Den löste de läckströmsproblem som dödade den gamla platta (planar) transistorn vid små noder.
Bakgrund: vid ~22 nm blev planara transistorer för läckande — grinden (på bara en sida) kunde inte stänga av strömmen ordentligt. FinFET reser kanalen vertikalt och kramar den på tre sidor → mycket bättre kontroll, lägre läckage, högre prestanda. Intel introducerade det kommersiellt 2011 ("Tri-Gate") vid 22 nm; alla följde. Regerade ned till ~3 nm. Vid 2 nm tar tre sidor inte längre tillräcklig kontroll → gate-all-around (fyra sidor) tar över. FinFET var det avgörande steget som höll Moores lag vid liv i ett decennium. Hör ihop med gate-all-around och processnod.