TSV（シリコン貫通電極）
チップの端へ引き出すのではなく、シリコンをまっすぐ貫く銅の導体。あらゆる垂直積層の基盤であり、メモリ帯域が伸び続ける理由でもある。
従来、信号はチップ表面のパッドから外へ出ていくため、接続数は端や表面に置ける数で頭打ちになっていた。TSVは、元の厚さの何分の一かまで研削したウェハに直径数マイクロメートルの穴を開け、銅で満たして裏側から接続する。これにより8段、12段のダイを積み、その間を数千本の接続で結べる。HBMスタックはまさにその構造だ。知っておくべき帰結が二つある。銅はシリコンと熱膨張率が大きく異なり、機械的な応力がトランジスタの特性を変えてしまうため、設計ルールでビアの周囲にキープアウトゾーンが義務付けられる。もう一つは、積層体は熱を逃がしにくいため、ロジックの上にロジックを積むことがまれだという点だ。