Hybrid Bonding
Zwei Siliziumstücke verbinden, indem man ihre Oberflächen zusammenpresst, sodass die Kupferkontakte direkt verschmelzen — ganz ohne Lotkugeln dazwischen.
Konventionelle Stapelung nutzt Lot-Mikrobumps, was eine untere Grenze für den Kontaktabstand setzt — irgendwo bei vierzig Mikrometern. Hybrid Bonding verlangt stattdessen, dass beide Oberflächen auf atomare Ebenheit poliert werden, wonach das Dielektrikum direkt bindet und das eingebettete Kupfer unter Temperatureinwirkung ineinander diffundiert. Der Abstand lässt sich dann unter zehn Mikrometer drücken, was eine Größenordnung mehr Verbindungen pro Fläche, geringeren Widerstand und einen kürzeren Weg ergibt. Mindestens ebenso wichtig: Das Lot verschwindet — Lot leitet Wärme schlecht, und genau deshalb ist die Technik die Voraussetzung dafür, Cache-Speicher direkt auf Prozessorkerne zu stapeln, wie bei AMDs 3D V-Cache.