Продвинутая упаковка
Методы объединения нескольких чиплетов на одной подложке или их 3D-стекирования: CoWoS (TSMC), Foveros и EMIB (Intel), SoIC (3D-стекирование). В 2024–2025 годах — узкое место производства ИИ-чипов.
CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate): кремниевый интерпозер между кристаллом и подложкой, высокоплотные межсоединения; применяется в H100 и MI300X. Foveros — 3D-стекирование, используется в Intel Meteor Lake. EMIB — кремниевый мост между чиплетами без полного интерпозера (дешевле). Мощности TSMC по CoWoS в 2024 году были распроданы → поставки ИИ-чипов Nvidia ограничивались не кремнием, а упаковкой. Инвестиции взлетели: TSMC вкладывает более 30 млрд долларов в новые линии CoWoS. Новое: Chip-on-Substrate (CoS), спечённое стекирование кристаллов, гибридное соединение. Будущее: подвод питания с обратной стороны (Intel 18A) — следующая революция в упаковке.