SiC-transistor
Siliciumcarbide-MOSFET. Wide-bandgap (3,3 eV), verwerkt 1200 V en meer met lage verliezen. Standaard in moderne omvormers van elektromotoren (Tesla Model 3 en later, alle Hyundai-EV's), zonne-omvormers en snelle DC-laders.
Tesla was in 2017 de eerste met SiC-omvormers in een EV: ongeveer 3 tot 5 procent meer rendement dan silicium-IGBT, goed voor ruim 30 kilometer extra bereik. Bekende leveranciers: STMicroelectronics en Wolfspeed (Cree). Kosten: 3 tot 5 keer zo hoog als een silicium-MOSFET. De sweet spot ligt tussen 600 V en 1700 V, waar silicium-MOSFET's inefficiënt beginnen te worden. Concurrenten: GaN (beter onder 600 V) en IGBT (goedkoper boven 1700 V). In de markt voor krachtige omvormers vervangt SiC de IGBT. De 200mm-wafelfabriek van Wolfspeed (2024) drukte de prijs en verhoogde het aanbod; uiteindelijk worden alle zonne-omvormers voor consumenten waarschijnlijk SiC.