GaN-FET
Galliumnitride-transistor. Een halfgeleider met brede bandgap (3,4 eV tegen 1,1 bij silicium), wat hogere schakelfrequenties, lagere verliezen en een kleiner formaat bij hetzelfde vermogen oplevert. Standaard in moderne usb-c-opladers van 65–140 W.
Toepassingen: telefoon- en laptopopladers (Anker Nano, Apple 70W USB-C), servervoedingen, onboard-laders in elektrische auto’s en rectifiers in datacenters. Prestaties: 50% kleiner en 30% efficiënter dan een voeding op basis van silicium-MOSFET’s. Kosten: 2–3× silicium, maar het maakt compacte ontwerpen mogelijk die met silicium niet kunnen. AC-DC- en DC-DC-omzetters profiteren het meest. Toekomst: SiC (siliciumcarbide) is de concurrent voor hoogspanningstoepassingen (EV’s, zonne-omvormers), GaN domineert bij lage spanning. Sinds 2020 een enorme adoptiecurve: elke nieuwe oplader vanaf 100 W gebruikt GaN.