Planair procedé
Jean Hoerni's kunstgreep om transistors plat onder een beschermende oxidelaag te bouwen — de basis van elke siliciumchip sindsdien.
Tot 1959 werden transistors gebouwd als verheven ‘mesa’-eilandjes: onbeschermd, vuilgevoelig en lastig onderling te verbinden. Jean Hoerni van Fairchild Semiconductor draaide het probleem om: de doteerstoffen worden door vensters in een thermisch gegroeide laag siliciumdioxide gediffundeerd, waarna het oxide als passivering blijft zitten. Het resultaat was een vlak oppervlak waarop de verbindingen fotolithografisch konden worden aangebracht.
Dat was de sprong die de geïntegreerde schakeling maakbaar maakte: Robert Noyce bouwde het jaar daarop de eerste monolithische ic op het planaire procedé. Hetzelfde basisidee ligt nog steeds ten grondslag aan chipproductie, van de bescheiden MOSFET tot geavanceerde logica, ook nu de structuren zijn gekrompen van micrometers tot een handvol nanometers.