Planärprocess
Jean Hoernis metod att bygga transistorer platta under ett skyddande oxidlager – grunden för varje kiselkrets sedan dess.
Fram till 1959 byggdes transistorer som utstickande "mesa"-öar, känsliga för smuts och svåra att koppla ihop. Jean Hoerni på Fairchild Semiconductor vände på problemet: diffundera in dopningen genom fönster i ett termiskt odlat kiseldioxidlager, och låt oxiden sitta kvar som passivering. Resultatet blev en plan yta där ledningarna kunde dras ovanpå med litografi.
Det var språnget som gjorde den integrerade kretsen tillverkbar – Robert Noyce byggde den första monolitiska kretsen på planärprocessen året efter. I grunden används samma idé än i dag, från MOSFET till moderna chip, även om geometrin krympt från mikrometer till några få nanometer.