High-NA EUV
De volgende generatie EUV-lithografie met een hogere numerieke apertuur (NA 0,55 tegen de huidige 0,33), waarmee nog fijnere patronen te belichten zijn. Cruciaal voor nodes voorbij ~2 nm. De machines kosten ruim 350 miljoen dollar per stuk en zijn de geavanceerdste van ASML.
Het idee: een hogere NA betekent dat de optiek licht onder een bredere hoek opvangt, wat een beter oplossend vermogen geeft en fijnere structuren zonder multi-patterning. Zo kan schaalverkleining doorgaan waar gewone EUV tegen zijn grens aanloopt. Keerzijde: een kleiner belichtingsveld (patronen moeten aan elkaar worden ‘gestikt’) en enorme kosten en complexiteit. Intel was de eerste met High-NA-machines (voor de nodes 18A/14A), onderdeel van de herstelstrategie; TSMC en Samsung volgen voorzichtiger vanwege de kosten. Een van de duurste en strategischste investeringen in de halfgeleiderindustrie.