FeRAM
Niet-vluchtig geheugen op basis van ferro-elektrische polarisatie van een dunne PZT-laag. Sneller dan flash en zuiniger, maar duur per bit.
Gefabriceerd door onder meer Fujitsu, Texas Instruments en Cypress (nu Infineon). Gebruikt in slimme meters, RFID-tags en IoT-sensoren, waar de schrijfenergie van flash een probleem is. De maximale omvang is zo’n 64 Mbit per chip — te weinig voor consumentenproducten. Toekomst: FeRAM op basis van HfO₂ op FinFET-nodes belooft goedkopere massaproductie.