レチクル限界
リソグラフィ装置の露光フィールドで決まる、1つのチップ（ダイ）が取りうる物理的な最大サイズ。現在のEUVでは約858 mm²。モノリシックなチップはこれより大きくできず、チップレットや先進パッケージングを促す絶対的な制約である。
仕組み：リソグラフィはマスク（レチクル）を通して、一度に限られた領域へパターンを「スタンプ」する。その領域の大きさが、連続した1枚のダイの上限になる。最大級のGPU（たとえばNVIDIAの最上位チップ）はすでにレチクル限界に達しており、「単にチップを大きくする」ことはできない。対策は、先進パッケージング（チップレット、CoWoS、ダイスティッチング）で複数のダイを結び、論理的に限界を超えることだ。High-NA EUVでは露光フィールドがさらに小さく（半分に）なるため、パターンのスティッチングが必要になる。現代のチップ設計における根本的な物理上の壁である。