High-NA EUV
開口数を高めた次世代のEUVリソグラフィ（NA 0.55、現行は0.33）で、さらに微細なパターンを描ける。約2nm以降のノードに不可欠で、装置は1台3億5000万ドル以上、ASMLで最も先進的な製品だ。
考え方は、開口数が高いほど光学系がより広い角度から光を集められ、解像度が上がるというもの。マルチパターニングなしでより微細な形状を作れ、通常のEUVが限界に近づくところでスケーリングを続けられる。代償は露光フィールドが小さくなること（パターンの「つなぎ合わせ」が必要）と、莫大なコストと複雑さである。
Intelは復活戦略の一環として、18A/14AノードのためにHigh-NA装置をいち早く導入した。TSMCとSamsungはコストを理由により慎重に追う。半導体業界でも特に高価で戦略的な投資の一つだ。EUVリソグラフィやゲートオールアラウンドと関連が深い。