ゲートオールアラウンド(GAA)
FinFETの後継となるトランジスタ構造。ゲートがチャネルを3面ではなく全周から囲み、電流の制御が良くなりリークが減る。2 nm以下のノードに必須だ。IntelはRibbonFETと呼ぶ。
トランジスタが小さくなるほど、完全にオフにするのが難しくなり、リーク電流とエネルギーの無駄が増える。FinFET(3面)は3 nm前後まで持ちこたえたが、GAAは積層した「ナノシート」を完全に取り囲むことで、静電制御を最大にし、リークを抑え、ワット当たりの性能を上げる。量産で先行したのはSamsung(3 nm GAA)で、TSMCはN2で、IntelはRibbonFETを20A/18Aで導入する。裏面電源供給と組み合わせて、さらに効果を上げることも多い。2 nm時代の大きなトランジスタ刷新だ。