ダブルパターニング
1つの層のパターンを2枚のマスクに分け、その波長での1回の露光では描けない微細なパターンを作る手法。新しいリソグラフィなしで、半導体業界が10年にわたり微細化を続けるための手段だった。
波長193ナノメートルの液浸リソグラフィは、パターン間の密度がある水準に達すると限界を迎え、EUVの登場は10年遅れた。そこで1本おきに露光する方法がとられた。パターンを2組に分けて別々に露光・エッチングするか、犠牲構造の側壁にスペーサー層を成膜して、ちょうど間に入る線を自動的に形成する。
工程のスループットは半分になり、マスクが増えるごとに層あたりのコストが上がる。さらに、2回の露光が互いにどれだけ正確に重なるかが、歩留まりを左右する新たな要因になった。この分割は設計ルールにまで及び、フィーチャーを2グループに色分けできるという制約が加わった。クリティカルな層ではEUVが不要にしたが、最も微細な領域ではEUVを光源として再び使われている。