High-NA EUV
La nuova generazione della litografia EUV con apertura numerica più alta (NA 0,55 contro 0,33 attuale), che disegna schemi ancora più fini. Fondamentale per i nodi oltre i ~2 nm. Le macchine costano oltre 350 milioni di dollari l'una e sono le più avanzate di ASML.
L'idea: una NA più alta significa che l'ottica raccoglie la luce con un angolo più ampio, quindi risoluzione migliore e dettagli più fini senza multi-patterning. Permette di continuare a scalare dove l'EUV normale comincia a esaurirsi. Compromessi: un campo di esposizione più piccolo (che richiede lo «stitching» degli schemi), costi e complessità enormi. Intel è stata la prima a introdurre gli strumenti High-NA (per i nodi 18A/14A) nell'ambito della sua strategia di rimonta; TSMC e Samsung procedono con più cautela a causa dei costi. Uno degli investimenti più costosi e strategici dell'industria dei semiconduttori. Correlato alla litografia EUV e al gate-all-around.