High-NA EUV
La próxima generación de litografía EUV, con mayor apertura numérica (NA 0,55 frente al 0,33 actual), capaz de trazar patrones aún más finos. Decisiva para nodos por debajo de los ~2 nm. Las máquinas cuestan más de 350 millones de dólares cada una y son lo más avanzado que fabrica ASML.
La idea es simple: más apertura numérica significa que la óptica capta luz en un ángulo más amplio, lo que da mejor resolución y detalles más finos sin necesidad de multi-patterning. Eso permite seguir escalando justo donde el EUV normal empieza a agotarse. El precio a pagar es un campo de exposición más pequeño — que obliga a "coser" patrones entre exposiciones — además de un coste y una complejidad enormes. Intel fue la primera en incorporar equipos High-NA, para sus nodos 18A/14A, como parte de su estrategia de remontada; TSMC y Samsung avanzan con más cautela por el coste. Es una de las inversiones más caras y estratégicas de toda la industria de semiconductores, ligada a la litografía EUV y al gate-all-around.