Gate-all-around (GAA)
FinFET'in yerini alan yeni transistör yapısı: kapı (gate) kanalı üç yüz yerine dört yüzden de sarar. Akım üzerinde daha iyi denetim ve daha az sızıntı sağlar; 2 nm ve altı düğümler için şarttır. Intel'in varyantının adı RibbonFET.
Neden: transistörler küçüldükçe tamamen kapatmak zorlaşır, bu da sızıntı akımı ve enerji israfı demektir. FinFET (üç yüz) yaklaşık 3 nm'ye kadar yetti; GAA ise kapıyı üst üste dizilmiş "nanosheet"lerin tam çevresine sarar → azami elektrostatik denetim, daha az sızıntı, watt başına daha yüksek performans. Üretimde ilk Samsung oldu (3 nm GAA), TSMC N2'de getiriyor, Intel ise RibbonFET ile 20A/18A'da. GAA çoğu zaman ek kazanç için arka yüzden güç dağıtımıyla birlikte kullanılır. 2 nm çağının büyük transistör adımı.