TSV
Медный проводник, проходящий прямо сквозь кремний, а не к краю кристалла. Основа любой вертикальной упаковки чипов, а значит, и дальнейшего роста пропускной способности памяти.
Обычно сигналы покидают кристалл через контактные площадки на лицевой стороне, и число соединений ограничено тем, что вмещают край и поверхность. Сквозное кремниевое отверстие (through-silicon via) вытравливается как отверстие в несколько микрометров в пластине, сточенной до доли исходной толщины, заполняется медью и контактируется с обратной стороны, — так можно сложить восемь или двенадцать кристаллов с тысячами связей между ними. Именно так устроена стопка HBM. Стоит знать два следствия. Медь расширяется при нагреве совсем не так, как кремний, и создаёт механические напряжения, меняющие поведение транзисторов, — поэтому правила проектирования требуют запретной зоны вокруг каждого отверстия. А стопка плохо рассеивает тепло, поэтому логику редко кладут поверх логики.