Планарный процесс
Придуманный Жаном Эрни способ строить транзисторы плоскими, под защитным слоем оксида, — основа всех кремниевых чипов с тех пор.
До 1959 года транзисторы делали в виде приподнятых «меза»-островков: открытых, чувствительных к грязи и неудобных для соединения. Жан Эрни из Fairchild Semiconductor перевернул задачу: легирующую примесь диффундируют через окна в термически выращенном слое диоксида кремния, а оксид оставляют на месте как пассивацию. Получилась плоская поверхность, на которой межсоединения можно печатать фотолитографией.
Этот скачок сделал интегральную схему технологичной: Роберт Нойс построил первую монолитную ИС на планарном процессе уже в следующем году. Та же базовая идея лежит в основе производства чипов и сегодня — от скромного MOSFET до передовой логики, хотя размеры элементов сократились от микрометров до считаных нанометров.