Double patterning
Dividir uma camada em duas máscaras para desenhar padrões mais finos do que uma única exposição permite naquele comprimento de onda. A forma que a indústria de semicondutores encontrou de continuar miniaturizando por uma década sem litografia nova.
A litografia por imersão a 193 nanômetros chega ao limite em certa densidade entre os elementos, e o EUV demorou dez anos a mais para chegar. O caminho foi expor uma linha sim, outra não: o padrão é dividido em dois conjuntos, expostos e corroídos separadamente, ou formado com camadas espaçadoras depositadas nas bordas de uma estrutura de sacrifício, de modo que caiam automaticamente no meio. A produtividade do processo cai pela metade, o custo por camada sobe a cada máscara extra e algo novo passa a determinar o rendimento: com que precisão as duas exposições se alinham entre si. A divisão é visível até nas regras de projeto, que ganham restrições sobre como os elementos precisam poder ser coloridos em dois grupos. O EUV eliminou a necessidade nas camadas críticas, mas nos casos mais apertados ela voltou — agora com o EUV como fonte de luz.