Tranzystor SiC
MOSFET z węglika krzemu (Silicon Carbide). Półprzewodnik szerokopasmowy (3,3 eV), wytrzymuje 1200 V i więcej przy niskich stratach. Standard w nowoczesnych falownikach silników EV (Tesla Model 3+, wszystkie Hyundai EV), falownikach fotowoltaicznych i szybkich ładowarkach DC.
Tesla w 2017: pierwszy samochód elektryczny z falownikami SiC → ok. 3–5% wyższa sprawność niż przy krzemowych IGBT = ponad 30 km dodatkowego zasięgu. Znani dostawcy: STMicroelectronics i Wolfspeed (Cree). Koszt: 3–5× więcej niż krzemowy MOSFET. Optymalny zakres: 600–1700 V, gdzie krzemowe MOSFET-y zaczynają być nieefektywne. Konkurenci: GaN (lepszy poniżej 600 V), IGBT (tańszy powyżej 1700 V). Trend w przemyśle: SiC wypiera IGBT w falownikach dużej mocy. Fabryka płytek 200 mm Wolfspeed (2024) obniżyła ceny i zwiększyła podaż. Z czasem wszystkie falowniki PV dla konsumentów przejdą na SiC.