GaN-FET
Tranzystor z azotku galu. Półprzewodnik o szerokiej przerwie energetycznej (3,4 eV wobec 1,1 eV krzemu) → wyższe częstotliwości przełączania, mniejsze straty i mniejsze rozmiary przy tej samej mocy. Standard we współczesnych ładowarkach USB-C 65–140 W.
Zastosowania: ładowarki do telefonów i laptopów (Anker Nano, Apple 70 W USB-C), zasilacze serwerowe, ładowarki pokładowe aut elektrycznych, prostowniki w centrach danych. Wydajność: zasilacz o 50% mniejszy i o 30% sprawniejszy niż oparty na krzemowych MOSFET-ach. Koszt: 2–3 razy wyższy niż krzem, ale umożliwia kompaktowe konstrukcje, jakich krzem nie pozwala zrobić. Najwięcej zyskują przetwornice AC-DC i DC-DC. Przyszłość: SiC (węglik krzemu) konkuruje w zastosowaniach wysokonapięciowych (auta elektryczne, falowniki solarne), a GaN dominuje przy niskich napięciach. Lawinowa adopcja od 2020 roku — każda nowa ładowarka powyżej 100 W używa GaN.