Gate-all-around (GAA)
Nowa struktura tranzystora następująca po FinFET, w której bramka otacza kanał ze wszystkich czterech stron zamiast z trzech. Daje lepszą kontrolę nad prądem i mniejsze upływy, niezbędne w procesach 2 nm i mniejszych. Intel nazywa swój wariant RibbonFET.
Po co: im mniejsze tranzystory, tym trudniej je całkowicie wyłączyć → prąd upływu i strata energii. FinFET (trzy strony) wytrzymał do ok. 3 nm; GAA owija bramkę wokół ułożonych w stos „nanoarkuszy” → maksymalna kontrola elektrostatyczna, mniejszy upływ, wyższa wydajność na wat. Pierwszy w produkcji był Samsung (3 nm GAA), TSMC wprowadza go w N2, Intel jako RibbonFET w 20A/18A. GAA często łączy się z zasilaniem od spodu układu dla dodatkowego zysku. Duży krok tranzystorowy ery 2 nm. Powiązane z FinFET i zasilaniem od spodu.