Podwójne naświetlanie (double patterning)
Podział jednej warstwy na dwie maski, by narysować drobniejsze wzory, niż pozwala pojedyncze naświetlenie przy danej długości fali. Sposób branży półprzewodnikowej na dekadę miniaturyzacji bez nowej litografii.
Litografia immersyjna przy 193 nanometrach wyczerpuje się przy pewnej gęstości elementów, a EUV spóźniło się o dziesięć lat. Wyjściem było naświetlanie co drugiej linii: wzór dzieli się na dwa zestawy naświetlane i trawione osobno albo tworzy się go za pomocą warstw dystansowych nakładanych na krawędzie struktury pomocniczej, tak by same trafiły pomiędzy. Przepustowość procesu spada o połowę, koszt warstwy rośnie z każdą dodatkową maską, a o uzysku zaczyna decydować coś nowego: jak precyzyjnie oba naświetlenia trafiają względem siebie. Podział widać aż w regułach projektowych, które zyskują ograniczenia wymagające, by elementy dało się pokolorować na dwie grupy. EUV zlikwidowało tę potrzebę w warstwach krytycznych, lecz przy najciaśniejszych wymiarach wraca ona — teraz z EUV jako źródłem światła.