V-NAND
Meer info
- Bedenker
- Samsung
- Jaar
- 2013
- Type
- 3D-NAND-flash
Samsungs antwoord toen flashcellen niet verder opzij te verkleinen waren: dan maar omhoog bouwen.
Begin jaren tien liep planaire NAND-flash tegen een muur aan: de cellen zaten zo dicht op elkaar dat ze elkaar stoorden en de betrouwbaarheid daalde. Samsung antwoordde in 2013 met V-NAND (‘vertical NAND’), de eerste 3D-NAND in massaproductie: in plaats van de cellen verder te verkleinen, worden ze verticaal gestapeld, van enkele tientallen lagen tot nu ruim boven de 200.
Daarmee veranderde ook het opslagmechanisme, van een floating gate naar charge-trap flash (CTF), dat stapelen beter verdraagt. Het resultaat is dichtere, goedkopere en duurzamere flash — de motor van moderne SSD's. Alle NAND-fabrikanten volgden, maar Samsung was er het eerst en houdt het aantal lagen nog altijd hoog.