V-NAND

2010年代初頭、平面型NANDフラッシュは壁に突き当たっていた。セルが近づきすぎて互いに干渉し、信頼性が落ちたのだ。サムスンは2013年にV-NAND（「垂直NAND」）で応えた。量産された最初の3D NANDで、セルをさらに縮める代わりに縦に積む。層数は数十層から、現在では200層超にまで達した。

この技術は記憶方式も、フローティングゲートから積層に適したチャージトラップフラッシュ（CTF）へ切り替えた。結果として、高密度で安く、耐久性の高いフラッシュが得られ、現代のSSDを支える原動力となった。NANDメーカー各社が追随したが、先に到達したのはサムスンで、今も高い層数を維持している。