リソグラフィ
光と感光性レジストを使って、回路パターンを半導体ウェハーに転写する工程。半導体産業全体の微細化の限界を決めている。
光源の波長は時代とともに短くなった。g線（436 nm、1980年代）→ i線 → 248 nm KrF → 193 nm ArF（深紫外、「DUV」）→ 193 nm液浸（ウェハー上の水で実効NAを高める）→ 13.5 nmのEUV（極端紫外線、2018年から）。加工寸法が波長より小さくなるとマルチパターニングが必要になる。EUV装置を製造できるのはASMLだけだ。