Transistor SiC
MOSFET in carburo di silicio (Silicon Carbide). A banda proibita larga (3,3 eV), regge 1200 V e oltre con basse perdite. Standard negli inverter dei motori EV moderni (Tesla Model 3 e successive, tutte le Hyundai elettriche), negli inverter solari e nelle colonnine DC rapide.
Tesla 2017: prima auto elettrica con inverter SiC → guadagno di efficienza del 3-5 % rispetto agli IGBT al silicio = oltre 30 km di autonomia in più. Fornitori emblematici: STMicroelectronics e Wolfspeed (Cree). Costo: da 3 a 5 volte un MOSFET al silicio. Fascia ideale: 600-1700 V, dove i MOSFET al silicio cominciano a perdere efficienza. Concorrenti: GaN (meglio sotto i 600 V), IGBT (più economici oltre i 1700 V). Tendenza industriale: il SiC sostituisce l'IGBT nel mercato degli inverter ad alta potenza. La fab Wolfspeed da 200 mm (2024) ha fatto scendere i prezzi e salire l'offerta. Prima o poi anche gli inverter fotovoltaici consumer saranno tutti SiC.