MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor — il tipo di transistor dominante in tutta l'elettronica digitale moderna. Inventato nel 1959 (Atalla e Kahng ai Bell Labs). Un die di CPU contiene miliardi di MOSFET.
Tre terminali: gate, source e drain. La tensione sul gate controlla la corrente tra source e drain. La logica CMOS usa una coppia p-MOSFET + n-MOSFET, con consumo minimo durante la commutazione. Storia dello scaling: MOSFET planare → FinFET (Intel 22 nm, 2012) → GAAFET (Samsung 3 nm, 2022). I MOSFET di potenza servono nell'elettronica di potenza: VRM sulle schede madri, alimentatori a commutazione. I nodi litografici moderni (3 nm, 2 nm) si riferiscono alle dimensioni dei MOSFET, ma sono un numero di marketing e non la lunghezza fisica del gate.