MRAM
RAM non volatile che memorizza i bit come orientamento magnetico in una giunzione tunnel magnetica (MTJ). Veloce, con endurance praticamente infinita e resistente alle radiazioni.
Due varianti principali: STT-MRAM (spin-transfer torque, la più attuale) e SOT-MRAM (spin-orbit torque, più veloce, ancora in ricerca). Everspin è il principale produttore dedicato. TSMC e Samsung integrano eMRAM (embedded) nei nodi a 22 e 28 nm per la cache dei microcontrollori. Usi: centraline automobilistiche, IoT, applicazioni spaziali resistenti alle radiazioni. Non è abbastanza densa da sostituire la DRAM.