FeRAM
Memoria non volatile basata sulla polarizzazione ferroelettrica di un sottile film di PZT. Più veloce della flash e con consumi minori, ma costosa per bit.
La producono Fujitsu, Texas Instruments e Cypress (oggi Infineon). Si usa in contatori intelligenti, tag RFID e sensori IoT, dove l'energia di scrittura della flash è un problema. La capacità massima è di circa 64 Mbit per chip, troppo poco per i prodotti di consumo. Il futuro: la FeRAM a base di HfO₂ su nodi FinFET promette una produzione di massa più economica.