DrMOS / stadio di potenza integrato
Stadio di potenza integrato: MOSFET high-side + MOSFET low-side + gate driver in un unico package. Sostituisce i MOSFET discreti sulle schede madri moderne. Standard nei VRM di fascia alta dal 2018.
Marchi e modelli: Intersil ISL99360 (60 A), Infineon TDA21490 (90 A), Renesas RAA228000 (110 A). Lo smart power stage espone la telemetria (corrente e temperatura per fase) al controller PWM. Vantaggi prestazionali: un Rds(on) più basso significa meno calore e consente frequenze di commutazione più alte, quindi una regolazione della tensione più pulita. Il marketing delle schede madri premium conta così: «90 A DrMOS × 16 stadi = 1440 A totali». Le moderne schede AM5 e LGA 1851 hanno standardizzato il DrMOS: il progetto con MOSFET discreti è ormai obsoleto nella fascia alta. Le schede economiche (A620, B760) usano ancora soluzioni discrete più economiche.