GaN-FET
Transistor au nitrure de gallium. Semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV contre 1,1 pour le silicium) → fréquences de commutation plus élevées, pertes plus faibles, format plus compact à puissance égale. Standard dans les chargeurs USB-C modernes de 65 à 140 W.
Usages : chargeurs de téléphone et d'ordinateur portable (Anker Nano, Apple 70 W USB-C), alimentations de serveur, chargeurs embarqués de véhicules électriques, redresseurs de datacenter. Performances : 50 % plus petit et 30 % plus efficace qu'une alimentation à MOSFET silicium. Coût : 2 à 3 fois celui du silicium, mais permet des conceptions compactes impossibles avec ce dernier. Les convertisseurs AC-DC et DC-DC en profitent le plus. Avenir : le SiC (carbure de silicium) concurrence sur les applications haute tension (véhicules électriques, onduleurs solaires), le GaN domine en basse tension. Courbe d'adoption massive depuis 2020 — tout nouveau chargeur de 100 W et plus utilise du GaN.