MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor — le type de transistor dominant dans toute l'électronique numérique moderne. Inventé en 1959 (Atalla et Kahng aux Bell Labs). Une puce de CPU en contient des milliards.
Trois bornes : grille (gate), source, drain. La tension appliquée à la grille contrôle le courant entre source et drain. La logique CMOS associe un p-MOSFET et un n-MOSFET → consommation minimale lors de la commutation. Historique de miniaturisation : MOSFET planaire → FinFET (Intel, 22 nm, 2012) → GAAFET (Samsung, 3 nm, 2022). Les MOSFET de puissance servent à l'électronique de puissance : VRM des cartes mères, alimentations à découpage. Les nœuds de gravure modernes (3 nm, 2 nm) désignent la taille des transistors MOSFET, même si c'est surtout un chiffre marketing plutôt que la longueur physique réelle de la grille.