DrMOS / étage de puissance intégré Integrated Power Stage
Étage de puissance intégré : MOSFET côté haut, MOSFET côté bas et pilote de grille réunis dans un seul boîtier. Il remplace les MOSFET discrets sur les cartes mères modernes, et il est standard dans les VRM haut de gamme depuis 2018.
Références : Intersil ISL99360 (60 A), Infineon TDA21490 (90 A), Renesas RAA228000 (110 A). Un « smart power stage » expose sa télémétrie (courant et température par phase) au contrôleur PWM. Gain de performance : un Rds(on) plus faible dégage moins de chaleur et autorise des fréquences de commutation plus élevées, donc une régulation de tension plus propre. Le marketing des cartes haut de gamme compte ainsi « 90 A DrMOS × 16 étages = 1 440 A au total ». Les cartes AM5 et LGA 1851 ont standardisé le DrMOS — la conception à MOSFET discrets est obsolète dans le haut de gamme. Les cartes d'entrée de gamme (A620, B760) utilisent encore des composants discrets, moins chers.