V-NAND
Más información
- Creador
- Samsung
- Año
- 2013
- Tipo
- Memoria flash 3D NAND
La respuesta de Samsung cuando las celdas de flash ya no podían encogerse a lo ancho: construir hacia arriba.
A principios de la década de 2010, la NAND flash plana chocaba contra un muro: las celdas estaban tan juntas que se interferían entre sí y la fiabilidad caía. Samsung respondió en 2013 con V-NAND ("vertical NAND"), la primera 3D NAND en producción masiva: en lugar de encoger más las celdas, se apilan en vertical, desde unas pocas decenas de capas hasta bastante más de 200 en la actualidad.
La tecnología también cambió el mecanismo de almacenamiento, de la puerta flotante a la charge-trap flash (CTF), que tolera mejor el apilado. El resultado es una flash más densa, barata y duradera: el motor de los SSD modernos. Todos los fabricantes de NAND siguieron el mismo camino, pero Samsung llegó primero y aún mantiene un alto número de capas.