Silicon Carbide SiC
Wide-Bandgap-Halbleiter (3,3 eV) — ideal für Hochspannungs- und Hochtemperatur-Leistungselektronik. Treibt E-Autos (Tesla, BYD), Solarwechselrichter und EV-Ladegeräte an.
Der Tesla Model 3 (2017) war das erste E-Auto mit SiC-Wechselrichter — steigerte die Reichweite um 5–10 % gegenüber IGBT. Wolfspeed (vormals Cree) ist der führende Wafer-Hersteller, steckt 2024 tief in Schulden. Konkurrenz: GaN unter 1200 V, klassisches Silizium-IGBT für kostensensible Anwendungen. Hersteller: Infineon, ST Microelectronics, onsemi.