GaN-FET
Gallium-Nitrid-Transistor. Halbleiter mit großer Bandlücke (3,4 eV gegenüber 1,1 eV bei Silizium) → höhere Schaltfrequenzen, geringere Verluste, kleinere Bauform bei gleicher Leistung. Standard in modernen 65–140-W-USB-C-Ladegeräten.
Einsatzgebiete: Handy- und Laptop-Ladegeräte (Anker Nano, Apple 70 W USB-C), Server-Netzteile, Onboard-Lader für Elektrofahrzeuge, Gleichrichter im Rechenzentrum. Leistung: 50 % kleiner und 30 % effizienter als ein silizium-MOSFET-basiertes Netzteil. Kosten: 2–3-mal so teuer wie Silizium, ermöglicht aber kompakte Bauformen, die mit Silizium nicht machbar sind. AC-DC- und DC-DC-Wandler profitieren am meisten. Ausblick: SiC (Siliziumkarbid) konkurriert bei Hochspannungsanwendungen (E-Autos, Solarwechselrichter), GaN dominiert den Niederspannungsbereich. Massiver Adoptionsschub seit 2020 — jedes neue Ladegerät ab 100 W nutzt GaN.