Galliumnitrid GaN
Halbleitermaterial mit breiter Bandlücke (3,4 eV gegenüber 1,1 eV bei Silizium) — ermöglicht schnelleres Schalten, höhere Spannungen, weniger Kühlung. Treibt moderne USB-C-Ladegeräte an.
Einsatzgebiete: 65–140-W-Ladegeräte, nur ein Drittel so groß wie die alten Ziegelsteine (Anker GaNPrime, Apple 140 W MagSafe), HF-Verstärker in 5G-Smartphones, On-Board-Lader in Elektroautos, Netzteile in Rechenzentren. Konkurrent: SiC (im Vorteil oberhalb von 1200 V). Hersteller: Wolfspeed, Navitas, GaN Systems (2023 von Infineon übernommen), Texas Instruments.