FinFET
Der Transistortyp, der die Chipfertigung seit ~2011 dominiert: Der Kanal steht als "Finne" hoch, und das Gate umschließt ihn an drei Seiten. Er löste die Leckstromprobleme, die dem alten planaren Transistor bei kleinen Knoten das Genick brachen.
Hintergrund: Bei ~22 nm wurden planare Transistoren zu leck — das Gate (nur auf einer Seite) konnte den Strom nicht mehr sauber abschalten. FinFET stellt den Kanal senkrecht auf und umschließt ihn an drei Seiten → deutlich bessere Kontrolle, weniger Leckstrom, höhere Leistung. Intel führte die Technik 2011 kommerziell ein ("Tri-Gate") bei 22 nm; alle anderen folgten. Sie herrschte bis hinunter zu ~3 nm. Bei 2 nm reichen drei Seiten nicht mehr für ausreichende Kontrolle → Gate-all-around (vier Seiten) übernimmt. FinFET war der entscheidende Schritt, der Moores Gesetz ein weiteres Jahrzehnt am Leben hielt.