Faz değişim belleği (PCM)
Bitlerin, bir kalkojenit alaşımının amorf ya da kristal hâli olarak saklandığı, ısıyla anahtarlanan kalıcı bellek.
Kavramı 1960’larda Stanford Ovshinsky icat etti. Ticari örnekler: Intel/Micron 3D XPoint (Optane), IBM’in bellek içi hesaplama deneyleri, Samsung. Artıları: NAND’den 1000 kat hızlı, bayt adreslenebilir. Eksileri: pahalı, yazma dayanıklılığı DRAM’den düşük. Araştırma sürüyor; ticari olarak ise fiyasko oldu.