MOSFET
Metal-Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör: modern dijital elektroniğin baskın transistör türü. 1959’da Bell Labs’te Atalla ve Kahng icat etti; bir CPU kalıbında milyarlarcası bulunur.
Üç ucu vardır: geçit (gate), kaynak (source) ve savak (drain). Geçitteki gerilim kaynak ile savak arasındaki akımı denetler. CMOS mantığı bir p-MOSFET ve bir n-MOSFET çiftinden oluşur ve anahtarlama sırasında asgari güç harcar. Ölçeklenme tarihi: düzlemsel MOSFET → FinFET (Intel 22 nm, 2012) → GAAFET (Samsung 3 nm, 2022). Güç MOSFET’leri güç elektroniğinde, örneğin anakartlardaki VRM’de ve anahtarlamalı güç kaynaklarında kullanılır. Modern litografi düğümleri (3 nm, 2 nm) MOSFET özellik boyutuna atıf yapar, ama bu fiziksel geçit uzunluğu değil, pazarlama rakamıdır.