V-NAND
Подробнее
- Создатель
- Samsung
- Год
- 2013
- Тип
- 3D NAND-флеш
Ответ Samsung на то, что ячейки флеш-памяти больше нельзя уменьшать вширь: строить вверх.
К началу 2010-х планарная NAND-память упёрлась в стену: ячейки располагались так тесно, что мешали друг другу, и надёжность падала. В 2013 году Samsung ответила V-NAND («вертикальной NAND») — первой 3D NAND в массовом производстве: вместо дальнейшего уменьшения ячейки укладывают стопкой, от нескольких десятков слоёв до более чем 200 сегодня.
Технология сменила и механизм хранения заряда: плавающий затвор уступил место ловушке заряда (charge-trap flash, CTF), которая лучше переносит многослойность. Итог — более плотная, дешёвая и долговечная флеш-память, двигатель современных SSD. Следом пошли все производители NAND, но Samsung оказалась первой и по сей день держит высокое число слоёв.