Carbeto de silício
Semicondutor de bandgap largo (3,3 eV), perfeito para eletrônica de potência de alta tensão e alta temperatura. Move EVs (Tesla, BYD), inversores solares e carregadores de veículos elétricos.
O Tesla Model 3 (2017) foi o primeiro EV com inversor de SiC, ampliando a autonomia em 5 a 10% em relação ao IGBT. A Wolfspeed (ex-Cree) é a principal fabricante de wafers e estava fortemente endividada em 2024. Concorrente: GaN abaixo de 1200 V, e o IGBT tradicional de silício onde o custo pesa mais. Fabricantes: Infineon, ST Microelectronics, onsemi.