GaN-FET
Transistor de nitreto de gálio. Semicondutor de banda larga (3,4 eV contra 1,1 do silício), com frequências de chaveamento mais altas, menos perdas e formato menor para a mesma potência. Padrão nos carregadores USB-C modernos de 65 a 140 W.
Usos: carregadores de celular e notebook (Anker Nano, Apple 70W USB-C), fontes de servidores, carregadores embarcados de veículos elétricos e retificadores de data centers. Desempenho: 50% menores e 30% mais eficientes que fontes baseadas em MOSFET de silício. Custo: 2 a 3 vezes o do silício, mas viabiliza projetos compactos que o silício não consegue. Conversores AC-DC e DC-DC são os que mais se beneficiam. Futuro: o SiC (carbeto de silício) concorre em alta tensão (veículos elétricos, inversores solares), enquanto o GaN domina a baixa tensão. Adoção em massa a partir de 2020: todo carregador novo acima de 100 W usa GaN.