FeRAM
Memória não volátil baseada na polarização ferroelétrica de um filme fino de PZT. Mais rápida que a flash e com menor consumo de energia, mas cara por bit.
Fabricada por Fujitsu, Texas Instruments e Cypress (hoje Infineon). Usada em medidores inteligentes, tags RFID e sensores IoT, onde a energia de escrita da flash é um problema. Capacidade máxima de cerca de 64 Mbit por chip — pequena demais para produtos de consumo. Futuro: FeRAM à base de HfO₂ em nós FinFET promete produção em massa mais barata.