V-NAND
Więcej informacji
- Twórca
- Samsung
- Premiera
- 2013
- Typ
- Pamięć flash 3D NAND
Odpowiedź Samsunga na to, że komórek flash nie dało się już zmniejszać w poziomie: budować w górę.
Na początku drugiej dekady XXI wieku planarna pamięć NAND uderzyła w mur — komórki leżały tak blisko siebie, że zakłócały się nawzajem, a niezawodność spadała. Samsung odpowiedział w 2013 roku V-NAND („vertical NAND"), pierwszą masowo produkowaną pamięcią 3D NAND: zamiast dalej zmniejszać komórki, układa się je pionowo, od kilkudziesięciu warstw do znacznie ponad 200 dziś.
Technologia zmieniła też mechanizm przechowywania, z pływającej bramki na charge-trap flash (CTF), który lepiej znosi piętrzenie. Efekt to gęstsza, tańsza i trwalsza pamięć flash — silnik współczesnych dysków SSD. Wszyscy producenci NAND poszli tą drogą, ale Samsung był pierwszy i nadal utrzymuje wysoką liczbę warstw.